
ì´ˆê³ ì† ì˜ìƒ ë° í…Œë¼í—¤ë¥´ì¸ (THz) 펄스 기반 í† í´ë¡œì§€ ìƒíƒœ ì œì–´
í† í´ë¡œì§€ ìƒíƒœëž€ 물질 ë‚´ ì „ìžì˜ 움ì§ìž„ì´ ì™¸ë¶€ 환경 변화(온ë„, ì••ë ¥, 결함 등)ì—ë„ ì‰½ê²Œ 깨지지 않는 'ì•ˆì •ì ì¸ ì „ìžì 성질'ì„ ëœ»í•œë‹¤. ì´ëŠ” ë¬¼ì§ˆì˜ ê²°ì • 구조와 ì „ìžì˜ ìƒí˜¸ìž‘용으로 ìƒê¸°ëŠ” ê³ ìœ í•œ ì–‘ìžì 특성으로, ì „ìž íë¦„ì˜ ìƒˆë¡œìš´ 경로를 만들거나 íŠ¹ì • ì „ìž ìƒíƒœë¥¼ ìœ ì§€í•˜ëŠ” ë° í™œìš©ëœë‹¤.

6G í˜ëª…ì„ ì˜ˆê³ í•˜ëŠ” 스핀트로닉스(spintronics) 기반 ë°˜ë„ì²´
극단ì 으로 ë¹ ë¥¸ ë°ì´í„° ì „ì†¡ ì†ë„와 ë‚®ì€ ì§€ì—°ì´ ìš”êµ¬ë˜ëŠ” 6G 시대를 준비하기 위해서는 ì „í˜€ 새로운 ë°˜ë„ì²´ 구조와 ìž‘ë™ ì›ë¦¬ê°€ 필요하다. ì—¬ê¸°ì— ì£¼ëª©í•œ ê²ƒì´ ë°”ë¡œ 스핀트로닉스 ê¸°ìˆ ì´ë©°, ì´ëŠ” 기존 ì „ìž ìž¥ì¹˜ì˜ â€˜ì „í•˜â€™ì— ë”í•´ ‘스핀(spin)’ì´ë¼ëŠ” ì „ìžì˜ ìžê¸° 모멘트(íšŒì „í•˜ëŠ” ìžê¸°ì 성질)를 활용해 ì •ë³´ ì²˜ë¦¬ì˜ íŒ¨ëŸ¬ë‹¤ìž„ì„ ê·¼ë³¸ì 으로 바꿀 수 있는 ê¸°ìˆ ì´ë‹¤.